10 月 11 日消息，长鑫科技的核心子公司长鑫存储总裁曹堪宇在10月10日的第四届集成芯片和芯粒大会上透露了一项新的DRAM（动态随机存取存储器）技术进展。曹堪宇介绍了名为4F²的DRAM架构，并表示长鑫存储预计年底将推出采用这项技术的新一代DDR5 RDIMM产品。 曹堪宇表示，该架构在DRAM存储阵列晶体管上进行了创新，VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管采用垂直包围沟道结构，以实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，竖立的晶体管有助于面积微缩，提升存储密度。 推出这项新技术也是长鑫拓展服务器内存市场的一个尝试。曹堪宇此次表示，长鑫存储将4F²架构的首代产品定为DDR5 RDIMM，准备用这一技术应对服务器内存领域的技术与工程壁垒。