日本开发半导体碳化硅缺陷大降的技术

2021-12-08 13:46 880

日本名古屋大学的宇治原彻教授等人开发出了利用人工智能(AI)高精度制造新一代半导体使用的碳化硅(SiC)结晶的方法。这种方法能将结晶缺陷数量

日本名古屋大学的宇治原彻教授等人开发出了利用人工智能(AI)高精度制造新一代半导体使用的碳化硅(SiC)结晶的方法。这种方法能将结晶缺陷数量降至原来百分之一,提高了半导体生产的成品率。2021年6月成立的初创企业计划2022年销售样品,2025年实现量产。


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标签: 碳化硅 日本 
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