10月7日，据媒体报道，三星电子在公司举办的晶圆代工论坛上表示，2025年将开始量产2纳米芯片，明年上半开始生产客户设计的3纳米芯片，第二代的3纳米芯片则预期在2023年生产。三星表示，公司的全环绕栅极（GAA）电晶体结构先进制程技术已经发展完备，明年可为客户量产3纳米芯片，2025年量产2纳米芯片。GAA制程生产的3纳米芯片与5纳米相较，性能增强30%，功耗减少50%。